半导体制造方法
授权
摘要
提供一种半导体制造方法，包括在基板上形成材料层；使用光照射材料层的至少一区域；记录从所述至少一区域反射的光的强度；以及根据所述光的强度，决定材料层在所述至少一区域的厚度。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783216A
申请号 ：
CN201910696376.3
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN110783216B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
杨青海高耀寰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN201910696376.3
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20190730
申请日 : 20190730
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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