本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供一包括阵列区和边缘区的基板；在基板上形成复合层，复合层包括非晶硅层和二氧化硅层，且二氧化硅层位于非晶硅层远离基板的表面；采用第一等离子体对阵列区上的二氧化硅层进行干法刻蚀，以露出阵列区上的非晶硅层的部分表面；采用第二等离子体对露出部分表面的非晶硅层进行等离子体表面处理；对等离子体表面处理后的非晶硅层和干法刻蚀后的二氧化硅层进行清洗；在基板的边缘区和阵列区上的复合层上涂布光刻胶层，并曝光、显影。该半导体器的制造方法能够使经过处理的表面层更好地与光刻胶接合，从而提高图形转移的精准度。