半导体器件的制造方法及其蒸镀缺陷的检测方法
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摘要
一种半导体器件的制造方法及其蒸镀缺陷的检测方法，包括确定器件在工作电压之间的第一实际工作电压点和第二实际工作电压点，并确定合适的标准电压变化值，由于半导体器件在工作电压中两个电压点之间的电流变化的斜率与蒸镀金属层的电阻大小对应，并且，两个工作电压点之间的电流变化斜率和两个工作电压的变化大小成正比关系，所以，可以通过这两个电压点的变化是否在正常工作范围，来推测出蒸镀金属值VR是否正常。这种蒸镀缺陷的检测方法，能够用于双向TVS蒸镀电极的检测，不限定器件是否需要顺向导通的条件，能够在器件制作过程中对每一个器件进行检测，检测效率高，进行检测的同时不会影响生产效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法及其蒸镀缺陷的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114171422A
申请号 ：
CN202210126894.3
公开（公告）日 ：
2022-03-11
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
CN114171422B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
李晓锋蓝浩涛
申请人 ：
浙江里阳半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭燕
优先权 ：
CN202210126894.3
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/329
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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