蒸镀方法和蒸镀系统
实质审查的生效
摘要
本申请实施例涉及显示领域，提供一种蒸镀方法及蒸镀系统，蒸镀方法包括：测试获取掩膜板与基板在一个蒸镀周期内的像素位置的总偏差量；蒸镀周期包括至少两个连续的蒸镀时期，测试获取掩模板与基板在每一个蒸镀时期的像素位置的子偏差量；基于子偏差量和总偏差量，获取与每一蒸镀时期对应的基板的像素开口的位置的补偿量；采用同一掩膜板进行实际蒸镀，且在掩膜板的不同蒸镀时期内，分别在具有与蒸镀时期相对应的补偿量的基板的像素开口内蒸镀像素，至少可以改善在一个蒸镀周期内掩膜板与基板之间的匹配问题，提升一个蒸镀周期内的像素位置精度。
基本信息
专利标题 ：
蒸镀方法和蒸镀系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318235A
申请号 ：
CN202111452593.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵晶晶付佳刘明星周皓月赵栋
申请人 ：
昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路188号3号房
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202111452593.1
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/04 C23C14/54 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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