改善尖端放电缺陷的方法及半导体器件的制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种改善尖端放电缺陷的方法及半导体器件的制造方法，所述改善尖端放电缺陷的方法包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构具有器件区和包围所述器件区的边缘区；形成图案化的光刻胶层于所述晶圆结构上，所述图案化的光刻胶层暴露出部分的所述器件区且至少覆盖所述边缘区向外凸出的边棱；以及，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆结构进行刻蚀。本发明的技术方案使得晶圆结构的边缘区上的尖端放电缺陷得到改善，避免导致晶圆结构的器件区的损伤，从而使得产品良率得到提高。
基本信息
专利标题 ：
改善尖端放电缺陷的方法及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110767535A
申请号 ：
CN201911047837.0
公开（公告）日 ：
2020-02-07
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN110767535B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
邹文
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN201911047837.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-03-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20191030
申请日 : 20191030
2020-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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