整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。
基本信息
专利标题 ：
整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86106409A
申请号 ：
CN86106409.7
公开（公告）日 ：
1987-05-20
申请日 ：
1986-11-06
授权号 ：
CN1003481B
授权日 ：
1989-03-01
发明人 ：
山崎舜平铃木邦夫金花美树雄深田武阿部雅芳小林一平柴田克彦薄田真人永山進小柳薰
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本国神奈川县厚木市长谷398番地
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN86106409.7
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04 H01L31/10 H01L31/18 H01L33/00 H01L25/02
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-11-29 ：
授权
1989-03-01 ：
审定
1987-09-09 ：
实质审查请求
1987-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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