半导体叠层结构及其制造方法以及半导体器件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种半导体叠层结构，包括；在衬底上形成的第一绝缘层；和在第一绝缘层上形成的第二绝缘层；所述叠层结构位于多层互连结构的金属引线之间以提高引线之间的击穿电压。本发明还相应提供了一种半导体叠层结构的形成方法，包括：将衬底置于反应室内；将第一反应气体引入所述反应室中；利用PECVD或HDP－CVD工艺在衬底表面形成第一绝缘层；移去第一反应气体，通入第二反应气体；利用PECVD或HDP－CVD工艺在第一绝缘层表面形成第二绝缘层。本发明的半导体叠层结构具有更高的绝缘特性和抗击穿特性，使包含这种层间绝缘膜层的半导体器件具有更高的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体叠层结构及其制造方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983585A
申请号 ：
CN200510111387.9
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪钉崇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN200510111387.9
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/31 H01L21/314 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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