成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法，该成核层结构包括：在衬底层上形成至少两个第一成核层和至少两个第二成核层；第一成核层和第二成核层交替间隔设置，衬底层和第一成核层接触；第二成核层掺杂金属杂质，金属杂质包括可以形成正离子的金属。通过间歇性供氨气形成多层结构，并且在不供氨气时掺杂金属化合物金属杂质。如此，在可以减少三甲基铝和氨气预反应的同时使使成核层结构中具有金属正离子，从而在可以提高成核层晶体质量的同时，又可以减少成核层结构中深能级空穴对二维电子气的影响。
基本信息
专利标题 ：
成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551563A
申请号 ：
CN202011335959.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张晖张燕飞钱洪途孔苏苏
申请人 ：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202011335959.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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