叠层型半导体装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明揭示一种叠层型半导体装置，在第2半导体基板(5)的背面上，形成以安装在与该背面侧相邻近的半导体装置(3)上的第1半导体元件(1)接触的状态配置的放热用的金属图案(12)，在半导体基板(2、5)周边附近的地方，形成贯通厚度方向传递热量的贯通路径(14、15)，在所述半导体基板(5)的背面，使贯通路径(14)与放热用的金属图案(12)连接，设置跨越半导体装置(3、6)之间的焊锡珠(11)，利用该焊锡珠(11)使传递到半导体装置(6)的金属图案(12)的热量传递到与设置该金属图案(12)的半导体装置(6)的背面侧邻近的半导体装置3的贯通路径(15)。
基本信息
专利标题 ：
叠层型半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835230A
申请号 ：
CN200610068170.9
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赤星年隆
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200610068170.9
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L23/36 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-01-24 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 38
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.11.10 JP 2005-325496
号 : 38
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.11.10 JP 2005-325496
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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