金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法
授权
摘要
本发明公开了金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法，金属叠层结构：包括八对AuSn叠层和底部Au层，其中Sn厚度为17000A，Au厚度为23050A‑25600A，AuSn厚度比为1.355882‑1.505882，Au质量百分比为78.2108wt%‑79.9459 wt%。本发明的有益效果是通过调整金属叠层的叠层数、AuSn比例，实现了低于340°C的共晶焊接温度，并且能够实现芯片完全共晶。
基本信息
专利标题 ：
金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113394186A
申请号 ：
CN202110655319.8
公开（公告）日 ：
2021-09-14
申请日 ：
2021-06-11
授权号 ：
CN113394186B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
吴鹏罗玉杰于正国
申请人 ：
赛创电气（铜陵）有限公司
申请人地址 ：
安徽省铜陵市铜陵经济技术开发区天门山北道3129号
代理机构 ：
铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴晨亮
优先权 ：
CN202110655319.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/603 B23K20/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-10-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20210611
申请日 : 20210611
2021-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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