材料层、包括其的半导体器件、以及制造材料层和半导体器件的...
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摘要
本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。
基本信息
专利标题 ：
材料层、包括其的半导体器件、以及制造材料层和半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107068537A
申请号 ：
CN201610978132.0
公开（公告）日 ：
2017-08-18
申请日 ：
2016-11-07
授权号 ：
CN107068537B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
卓容奭朴起宽金真范具本荣朴起演李泰宗
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
金拟粲
优先权 ：
CN201610978132.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/423 C23C16/44
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-05-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20161107
申请日 : 20161107
2017-08-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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