半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
穿透半导体基片并且与半导体基片绝缘隔离的贯通电极包括内部贯通电极、四边形环状半导体以及外围贯通电极。四边形环状半导体围绕内部贯通电极形成，并且外围贯通电极围绕四边形环状半导体形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835224A
申请号 ：
CN200610059662.1
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
内山士郎
申请人 ：
尔必达存储器株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林森
优先权 ：
CN200610059662.1
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L23/485 H01L27/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2014-06-11 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701587183
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利号 : ZL2006100596621
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 美光科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国爱达荷州
登记生效日 : 20140513
号牌文件序号 : 101701587183
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利号 : ZL2006100596621
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 美光科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国爱达荷州
登记生效日 : 20140513
2008-07-30 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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