一种骨架支撑金属膜及制备方法、烧结方法
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摘要
本发明公开了一种骨架支撑金属膜及制备方法、烧结方法，该骨架支撑金属膜包括纳米金属膏、骨架，所述骨架包括泡沫金属或纳米线、纳米棒构成，并形成，孔洞的直径大于纳米金属膏内金属粒子的的最大粒径。本发明采用金属膏填充骨架用于电气互连的烧结层，在压力烧结情况下，骨架将金属膏体保留在烧结层中不会溢出。同时，骨架的形变量小于纯膏体的形变量，压力不均的情况下，多芯片烧结层的厚度方差将远远小于纯膏体的烧结层厚度方差，从而保证器件的均匀性，提高器件的可靠性。同时，金属膏中的纳米、微米颗粒价格高。骨架的孔洞架构大于颗粒的粒径，其价格更低，将会降低整体成本。
基本信息
专利标题 ：
一种骨架支撑金属膜及制备方法、烧结方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111490027A
申请号 ：
CN202010195482.6
公开（公告）日 ：
2020-08-04
申请日 ：
2020-03-19
授权号 ：
CN111490027B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘起鹏周荃叶怀宇张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敦枫
优先权 ：
CN202010195482.6
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L21/768 B82Y40/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-08-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/52
申请日 : 20200319
申请日 : 20200319
2020-08-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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