晶圆表面金属膜厚度测量方法

授权

摘要

本发明提供一种晶圆表面金属膜厚度测量方法，其包括如下步骤：获得常数参数：在晶圆表面的两个预设点处，获得声波在晶圆表面金属膜内传播的时间差；获得所述两个预设点处的表面高度差；将所述高度差及所述时间差的比值作为所述常数参数；晶圆表面金属膜厚度测量：在晶圆表面的测量点处，获得声波在晶圆表面金属膜内传播的时间，以所述时间与所述常数参数的乘积作为所述测量点处的金属膜厚度。本发明测量方法能够实时监测晶圆表面金属膜的厚度，且测量准确度高，大大提高了产能，节约了成本；并且，无需破坏晶圆即可获得两个预设点处的表面高度差，避免晶圆被破坏，提供了一种无损测量方法。

基本信息

专利标题：

晶圆表面金属膜厚度测量方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112635349A

申请号：

CN202011517574.8

公开（公告）日：

2021-04-09

申请日：

2020-12-21

授权号：

CN112635349B

授权日：

2022-04-12

发明人：

李辉梅双

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN202011517574.8

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2022-04-12 ：

授权

2021-04-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201221

2021-04-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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