半导体器件

专利权的终止

摘要

本发明的实施例提供了一种具有包括第一电极、第二电极和绝缘体的电容器的半导体器件。半导体器件包括交替层叠的多个第一层和多个第二层。第一层每层都包括交替设置且在第一方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线。第二层每层都包括交替设置且在第二方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线。第一通孔连接每个第一层中的第一电极的线和每个第二层中的第一电极的线。第二通孔连接每个第一层中的第二电极的线和每个第二层中的第二电极的线。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779966A

申请号：

CN200510116125.1

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阪口明美大城户敏夫

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200510116125.1

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L27/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2014-12-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591754932
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101161251
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20090218
终止日期 : 20131026

2010-12-22 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101056196823
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101161251
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川

2009-02-18 ：

授权

2006-07-26 ：

实质审查的生效

2006-05-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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