宽字线三维存储器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在基于二极管的宽字线三维存储器中，字线线宽最好大于位线线宽。这是因为：1)二极管存储器的成品率对字线缺陷较为敏感(位线缺陷较易纠正)；2)在读过程中，字线需要给多根位线提供电流，其方块电阻最好具有较小值。
基本信息
专利标题 ：
宽字线三维存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101459179A
申请号 ：
CN200810184957.0
公开（公告）日 ：
2009-06-17
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国飙
申请人 ：
张国飙
申请人地址 ：
610051四川省成都市建设路59号5A-001信箱
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200810184957.0
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L27/06 H01L23/522 G11C17/06 G11C17/10 G06F21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101076741011
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利申请号 : 2008101849570
公开日 : 20090617
号牌文件序号 : 101076741011
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利申请号 : 2008101849570
公开日 : 20090617
2009-08-12 ：
实质审查的生效
2009-06-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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