用于确定字线与存储器孔短路的全位线感测
实质审查的生效
摘要
本发明提供了用于检测存储器设备中的短路并且具体地检测字线与沟道短路以及在NAND串顶部处的位线触点之间的短路的装置和技术。短路检测操作包括沟道预清洁阶段，该沟道预清洁阶段对非短路NAND串的沟道放电，同时使短路NAND串的位线升压，之后是位线预充电阶段，该位线预充电阶段使非短路NAND串的位线升压，之后是位线放电阶段，该位线放电阶段使非短路NAND串的位线放电，之后是感测阶段，该感测阶段将短路NAND串识别为处于编程状态或非导电状态。
基本信息
专利标题 ：
用于确定字线与存储器孔短路的全位线感测
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464232A
申请号 ：
CN202011237818.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李靓刘晓华蔚倩倩
申请人 ：
西部数据技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
潘晓波
优先权 ：
CN202011237818.7
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/08 G11C16/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20201109
申请日 : 20201109
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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