用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开内容提供了一种用于形成三维存储器器件的方法。该方法包括在垂直于衬底的第一方向上在衬底上设置交替电介质堆叠体；以及在交替电介质堆叠体中形成阶梯结构和分隔壁。阶梯结构与分隔壁在平行于衬底的第二方向上延伸，并且分隔壁与阶梯结构相邻。该方法还包括在阶梯结构上依次形成第一阻挡层和不同于第一阻挡层的第二阻挡层。该方法还包括在分隔壁中形成栅极线缝隙(GLS)开口。GLS开口在第一方向上穿透交替电介质堆叠体，并且在平行于衬底并且垂直于第二方向的第三方向上远离第二阻挡层。
基本信息
专利标题 ：
用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556564A
申请号 ：
CN202180005399.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐玲王迪张中周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
林锦辉
优先权 ：
CN202180005399.0
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11575 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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