改善阶梯结构中的半隔离字线的蚀刻裕量的虚设字线触点
公开
摘要
具有三维(3D)阶梯存储器堆叠的存储器设备包括邻近半隔离连接器的虚设连接器。存储器设备包括堆叠在3D阶梯堆叠中的多条字线，包括在阶梯的区域的边缘处的字线。存储器设备包括垂直连接器，这些垂直连接器穿过3D阶梯堆叠上的隔离层来将字线与访问层中的导电线相连接。阶梯的区域的边缘处的字线具有垂直连接器，该垂直连接器在一侧将与一连接器相邻，在另一侧则不会。存储器设备包括在边缘上的字线的垂直连接器的边缘侧的至少一个虚设垂直连接器，其中虚设垂直连接器不将3D阶梯堆叠的字线电连接到访问层中的导电线。
基本信息
专利标题 ：
改善阶梯结构中的半隔离字线的蚀刻裕量的虚设字线触点
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600243A
申请号 ：
CN201980101769.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘浏孙川马洪
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
姜飞
优先权 ：
CN201980101769.3
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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