钝化金属蚀刻结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种钝化刚刚被蚀刻的金属结构的方法，包括在衬底上提供金属表面，所述金属表面已经由第一粒子束蚀刻，将所述金属表面曝露给钝化气体，并且在钝化气体存在的情况下将刚刚蚀刻的金属结构曝露给第二粒子束。第二粒子束可以包括电子束，离子束或激光束。钝化气体可以包括水汽，氧气或烃气。
基本信息
专利标题 ：
钝化金属蚀刻结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790635A
申请号 ：
CN200510134725.0
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
泰德·梁
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人 ：
齐永红
优先权 ：
CN200510134725.0
主分类号 ：
H01L21/321
IPC分类号 ：
H01L21/321
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003963855
IPC(主分类) : H01L 21/321
专利申请号 : 2005101347250
公开日 : 20060621
号牌文件序号 : 101003963855
IPC(主分类) : H01L 21/321
专利申请号 : 2005101347250
公开日 : 20060621
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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