阶梯型字线结构
授权
摘要
本实用新型提供一种阶梯型字线结构，其包括导电层，所述导电层的顶端呈中间高两边低的阶梯型构型。本实用新型阶梯型字线结构在降低字线结构的电阻的同时还能够避免产生GIDL效应。
基本信息
专利标题 ：
阶梯型字线结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921731801.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN210837738U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
冯鹏孔忠李雄
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921731801.X
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/108 H01L21/768 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
