有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备
授权
摘要
本发明公开了一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，其包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
基本信息
专利标题 ：
有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838321A
申请号 ：
CN200610071461.3
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵栢衡金杜应郭忠根赵佑荣吴泂录
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200610071461.3
主分类号 ：
G11C11/56
IPC分类号 ：
G11C11/56 G11C11/4193 G11C16/02 G11C16/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的，如：电压、电流、相位、频率的
法律状态
2012-06-13 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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