非易失性存储设备和对非易失性存储设备进行编程的方法
公开
摘要
一种用于对非易失性存储设备中包括的多个存储单元中的至少一个存储单元进行编程的方法，至少一个存储单元包括字线和位线，该方法包括：分别基于第一条件和第二条件执行第一编程和验证操作以及第二编程和验证操作，其中，每个编程和验证操作包括：由非易失性存储设备中包括的电压生成器生成编程电压和位线电压；以及分别向字线和位线提供编程电压和位线电压，其中，编程电压和位线电压各自的电压电平和电压施加时间分别与第一条件或第二条件相对应，其中，第一条件不同于第二条件。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储设备和对非易失性存储设备进行编程的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520017A
申请号 ：
CN202111375557.X
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴准镛金炯坤金炳秀曹诚敏
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
孙尚白
优先权 ：
CN202111375557.X
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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