相变存储设备以及对其进行编程的方法
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摘要
公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括：每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态，然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明，当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时，可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下，对存储单元进行正确编程。
基本信息
专利标题 ：
相变存储设备以及对其进行编程的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892889A
申请号 ：
CN200510136251.3
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金惠珍金杜应李光振鲁有桓
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李芳华
优先权 ：
CN200510136251.3
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00 G11C13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2010-12-01 ：
授权
2008-07-30 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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