非易失性存储器设备、编程方法和其编程验证方法

授权

摘要

本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器设备、编程方法和其编程验证方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN106448733A

申请号：

CN201610665846.6

公开（公告）日：

2017-02-22

申请日：

2016-08-12

授权号：

CN106448733B

授权日：

2022-04-12

发明人：

林惠镇尹盛远朴一汉

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

钱大勇

优先权：

CN201610665846.6

主分类号：

G11C16/10

IPC分类号：

G11C16/10 G11C16/06 G11C16/34