非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法
授权
摘要
一种NAND型闪存器件具有多面结构。页缓冲器被划分为偶数页缓冲器和奇数页缓冲器并被同时驱动。连接到一页内的偶数位线的多个单元和连接到一页内的奇数位线的单元被同时编程、读出和复制编程。
基本信息
专利标题 ：
非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892909A
申请号 ：
CN200510136230.1
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑哲谟
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN200510136230.1
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 G11C16/10 G06F12/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2010-04-14 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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