非易失性存储器件及其编程方法

专利权的终止

摘要

披露了一种非易失性存储器件及其编程方法。该方法包括在多次程序循环期间将字线电压、位线电压和整体电压施加到存储单元。在当前程序循环期间位线电压下降到低于第一预定检测电压或者整体电压变得高于第二预定检测电压的情况下，相同的字线电压被用在当前编程循环和在当前程序循环之后的下一个程序循环中。否则，在下一编程循环之前将字线电压增加预定的量。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器件及其编程方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1783343A

申请号：

CN200510118082.0

公开（公告）日：

2006-06-07

申请日：

2005-10-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郑宰镛任兴洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

吕晓章

优先权：

CN200510118082.0

主分类号：

G11C16/02

IPC分类号：

G11C16/02 G11C16/06 G11C16/10

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/00

可擦除可编程序只读存储器

G11C16/02

电可编程序的

法律状态

2013-12-18 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101551722316
IPC(主分类) : G11C 16/02
专利号 : ZL2005101180820
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20110810
终止日期 : 20121025

2011-08-10 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2006-06-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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