存储器结构及其编程方法

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摘要

说明了一种存储器和对存储器件进行编程的方法。所述方法包括：选择要编程的单元(32)，其中所述单元与位线耦接；施加第一编程脉冲(34)，其中第一编程脉冲包括施加第一电压到所述位线；验证在施加第一编程脉冲之后所述单元是否被编程(36)；以及如果在施加第一编程脉冲之后所述单元没有被编程，则在施加第一编程脉冲之后施加第二编程脉冲到所述位线，其中第二编程脉冲包括施加第二电压到所述位线，其中第二电压与第一电压不同。

基本信息

专利标题：

存储器结构及其编程方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101501781A

申请号：

CN200680013713.5

公开（公告）日：

2009-08-05

申请日：

2006-02-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李驰楠

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

付建军

优先权：

CN200680013713.5

主分类号：

G11C16/04

IPC分类号：

G11C16/04