本发明涉及一种三维存储器及其控制方法。所述三维存储器包括多个存储串，每个所述存储串中包括多个存储单元，该三维存储器的编程方法包括：利用第一验证电压对所述多个存储单元中的第一存储单元进行第一编程；利用第一验证电压和第二验证电压对所述多个存储单元中的其他存储单元进行编程；以及利用所述第二验证电压对所述第一存储单元进行第二编程；其中，所述第一验证电压小于所述第二验证电压。本发明的三维存储器及其编程方法，增加了第一存储单元的第一编程和第二编程之间的时间间隔，在这段时间内，第一存储单元中位于浅能级的电荷泄露掉，使得经过第二编程之后的电荷更多地位于深能级，从而可以减小快速电荷损失导致的读取窗口变小。