非易失性存储器设备和在非易失性存储器中编程的方法
公开
摘要

一种非易失性存储器设备包括至少一个存储器块和控制电路。该至少一个存储器块包括多个单元串,每个单元串包括串选择晶体管、多个存储器单元和接地选择晶体管。该控制电路通过下列方式控制程序操作:在程序循环的位线设置时段期间,将多个单元串的通道预充电至第一电压;在程序循环的程序执行时段期间,将程序电压施加到多个单元串的选定字线;以及在将多个单元串的选定字线和未选定字线的电压恢复到小于接地电压的负电压之后,在程序循环的恢复时段期间,将选定字线和未选定字线的电压恢复到大于接地电压的第二电压。

基本信息
专利标题 :
非易失性存储器设备和在非易失性存储器中编程的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496041A
申请号 :
CN202111239284.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-10-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
崔容赫南尚完柳载德李耀翰
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邵亚丽
优先权 :
CN202111239284.6
主分类号 :
G11C16/12
IPC分类号 :
G11C16/12  G11C16/34  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/12
编程电压开关电路
法律状态
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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