本发明涉及一种存储器的编程操作方法及装置，存储器包括第一存储串、以及位于第一存储串两端的第一输入端和第二输入端，第一存储串包括串联的多个第一存储单元，编程操作方法包括：进行第一编程操作的预充电，包括向第二输入端提供第一预设电压，并对处于已编程状态的第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，使处于已编程状态的第一存储单元导通，以对第一存储串中的沟道进行预充电；进行第一编程操作，第一编程操作从靠近第二输入端的第一存储单元向远离第二输入端方向对多个待编程的第一存储单元进行编程，从而，在对存储串进行编程操作时，能够在该编程操作的预充电阶段有效降低沟道的电荷密度，进而减小编程干扰。