多层级存储器单元编程
公开
摘要
本申请案是针对多层级存储器单元编程。在第一遍次之后，可将呈一或多个偏移脉冲形式的偏移施加到处于较高电平状态的MLC。可在第二遍次的第一部分之前或期间施加所述偏移。所述偏移可在所述单元被最后编程之前移动所述单元的信号，以避免在第二遍次期间在未编程单元与经编程到最终电平的下半部的单元之间会有潜在重叠。接着可将偏移单元进一步移动到所述最终电平的较高半部中的其它电平。
基本信息
专利标题 ：
多层级存储器单元编程
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582397A
申请号 ：
CN202111451500.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·卡列洛J·W·欧F·罗里
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111451500.3
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 G11C8/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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