一种可编程只读存储单元及存储器
授权
摘要
本实用新型公开了一种可编程只读存储单元及存储器，可编程只读存储单元包括N阱，N阱上设有串联的第一PMOS管、第二PMOS管；第一PMOS管为选择管，第二PMOS管为浮置栅极的存储管，第二PMOS管的栅极上方没有金属硅化物，且第二PMOS管栅极的平均厚度小于第一PMOS管栅极的平均厚度，第一PMOS管的宽度大于第二PMOS管的宽度。本实用新型减少了非设计寄生电容、增大了有益寄生电容占比、提高了编程门槛、降低了误编程概率，提高了产品的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种可编程只读存储单元及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123202811.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216596248U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
王春华
申请人 ：
南京沁恒微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区宁双路18号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123202811.4
主分类号 ：
G06F30/392
IPC分类号 ：
G06F30/392
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/392
平面规划或布局，例如,分区或放置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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