闪存和只读（ROM）存储器

专利权的终止

摘要

一种用于将第一半导体器件上的闪存单元转换成第二半导体器件上的ROM存储器单元的方法，该第一和第二半导体器件每一个都设置在半导体衬底上且都包括相同的器件部分和相同的布线方案，布线方案用于将器件部分分别连接至闪存单元和ROM存储单元；闪存单元由非易失性存储技术制得，并且包括存取晶体管和浮置晶体管，该浮置晶体管包括浮置栅极以及控制栅极ROM存储器单元由基线技术制得，并且包括单栅极晶体管，所述方法包括对基线掩模技术中使用的至少一个基线掩模的布局进行处理；该处理包括：将闪存单元的布局并入所述至少一个基线掩模的布局中；以及通过在所述至少一个基线掩模中消除来自闪存单元的布局的浮置晶体管的布局，并通过将闪存单元的存取晶体管的布局指定为ROM存储器单元的单栅极晶体管的布局，将闪存单元的布局转换为一个ROM存储器

基本信息

专利标题：

闪存和只读（ROM）存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101057331A

申请号：

CN200580038642.X

公开（公告）日：

2007-10-17

申请日：

2005-11-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

罗伯·费哈尔吉多·J·M·多曼斯毛里茨·斯托姆斯罗格·库彭斯弗朗斯·J·李斯特罗伯特·H·伯泽

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580038642.X

主分类号：

H01L27/112

IPC分类号：

H01L27/112 H01L27/115 H01L21/8246 H01L21/8247

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

H01L27/112

只读存储器结构的

法律状态

2016-12-28 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101693208975
IPC(主分类) : H01L 27/112
专利号 : ZL200580038642X
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20151108

2010-06-16 ：

授权

2008-06-18 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080516

2008-01-09 ：

实质审查的生效

2007-10-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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