掩膜只读存储器
专利申请的视为撤回
摘要
一种在半导体存储器中的掩膜只读存储器有：一给定导电类型的扩散区在第一方向上延伸并以隔离区与另一扩散区隔开；一字线在和第一方向垂直的第二方向上延伸，且和另一字线平行；一位线沿第一方向在一区域里延伸，该区域在字线布线上方形成并对应于扩散区之间的隔离区，该位线通过给定的接触区和字线接触。因位线和扩散区隔开一给定间隔，故周转时间(TAT)可以大大降低。
基本信息
专利标题 ：
掩膜只读存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1070279A
申请号 ：
CN92109280.6
公开（公告）日 ：
1993-03-24
申请日 ：
1992-08-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵星熙李炯坤崔正达
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN92109280.6
主分类号 ：
G11C17/08
IPC分类号 ：
G11C17/08
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/08
应用半导体器件的，例如，双极性元件
法律状态
1995-08-30 ：
专利申请的视为撤回
1993-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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