掩膜坯、相移掩膜、半色调掩膜、掩膜坯的制造方法及相移掩膜...
授权
摘要
本发明的掩膜坯，具备：透明基板；相移层，层压于该透明基板的表面，以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压于所述相移层；及遮光层，层压于所述蚀刻停止层，以Cr为主成分。通过同一蚀刻剂来蚀刻所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层，从而能够制造形成于所述遮光层的遮光图案的边缘与层压于所述相移层的相移图案的边缘相比在俯视中被配置在后退的位置的相移掩膜。
基本信息
专利标题 ：
掩膜坯、相移掩膜、半色调掩膜、掩膜坯的制造方法及相移掩膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109478012A
申请号 ：
CN201880001456.6
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2018-02-07
授权号 ：
CN109478012B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
野口鸠德矶博幸望月圣影山景弘诸沢成浩
申请人 ：
爱发科成膜株式会社
申请人地址 ：
日本崎玉县
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
康泉
优先权 ：
CN201880001456.6
主分类号 ：
G03F1/26
IPC分类号 ：
G03F1/26 G03F1/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/26
相移掩膜；PSM空白；其制备
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/26
申请日 : 20180207
申请日 : 20180207
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN109478012A.PDF
PDF下载
