光掩膜、掩膜图形的生成方法及半导体器件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的中央遮光线部(5)从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形(4)；和按照从宽度方向的两侧夹持该一对透光用开口图形(4)的方式进行配置的半透过区域。该半透过区域构成为具有使透过的光与透过透光用开口图形(4)的光相位相同这一性质的同相半透过部(2)。此外，半透过区域由微细到经过光照射而不析像这种程度的间距进行配置的图形构成。
基本信息
专利标题 ：
光掩膜、掩膜图形的生成方法及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1854892A
申请号 ：
CN200610073914.6
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中尾修治
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200610073914.6
主分类号 ：
G03F1/14
IPC分类号 ：
G03F1/14 G03F1/08 G03F1/00 G03F7/20 H01L21/027
法律状态
2011-01-19 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101062887896
IPC(主分类) : G03F 1/14
专利申请号 : 2006100739146
公开日 : 20061101
号牌文件序号 : 101062887896
IPC(主分类) : G03F 1/14
专利申请号 : 2006100739146
公开日 : 20061101
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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