膜层的图形化方法及半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种膜层的图形化方法及半导体器件的制备方法。在膜层的图形化方法中，通过光刻胶层的掩模对薄膜材料层中需要保留的部分进行等离子体表面处理，以使该部分的顶表面被钝化而形成钝化层，从而可利用形成的钝化层保护其下方的薄膜材料不会被去除，实现膜层的图形化效果。本发明提供的图形化方法，可有效改善光刻胶残留的问题，减少图形化工艺所带来的缺陷，并且工艺简单，实现了对图形化工艺的进一步优化。
基本信息
专利标题 ：
膜层的图形化方法及半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334642A
申请号 ：
CN202210229014.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李翔谢志平丛茂杰
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210229014.5
主分类号 ：
H01L21/321
IPC分类号 ：
H01L21/321 H01L21/02 H01L21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/321
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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