图形化掩膜层、存储器
授权
摘要
一种图形化掩膜层及一种存储器，所述图形化掩膜层包括：若干阵列分布的子掩膜图形；位于所述子掩膜图形侧壁表面的侧墙。上述图形化掩膜层的形成难度较低。
基本信息
专利标题 ：
图形化掩膜层、存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920860918.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN209785878U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
周震
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920860918.1
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/8239
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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