掩膜结构和存储器
授权
摘要
本实用新型涉及一种掩膜结构和一种存储器，所述掩膜结构包括：依次堆叠的第一掩膜层、第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层表面的第一侧墙；相邻所述第一侧墙两侧之间的刻蚀图形沿第一方向延伸，且深度均相同；覆盖所述第一掩膜层、所述第一缓冲层和所述第一侧墙并填充满所述第一刻蚀图形的第三掩膜层；位于所述第三掩膜层表面的第二缓冲层以及位于所述第二缓冲层表面的第二侧墙，相邻所述第二侧墙之间的刻蚀图形沿第二方向延伸，且深度均相同。所述掩膜结构用于形成尺寸深度相同的孔。
基本信息
专利标题 ：
掩膜结构和存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920955059.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN210272255U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920955059.4
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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