掩膜版及掩膜装置
授权
摘要
本公开涉及一种掩膜版及掩膜装置。掩膜版包括：图案区域和位于所述图案区域的边缘的第二肋，图案区域包括：多个开口，相邻的开口通过第一肋隔开；其中，所述多个开口中的至少一个开口具有非平直的侧边、与所述非平直的侧边相交的两个第一平直侧边和位于所述非平直的侧边的对侧、且与所述第一平直侧边相交的第二平直侧边，在所述第二肋上设有用于对所述非平直的侧边进行拉伸变形补偿的开孔，所述两个第一平直侧边沿第一方向向所述第二肋延伸的延伸线与所述第二肋相交得到第一区域，所述开孔至少位于所述第一区域内，所述第一方向与所述第一平直侧边平行，与所述第一方向垂直的第二方向与所述第二平直侧边平行。
基本信息
专利标题 ：
掩膜版及掩膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921410333.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-28
授权号 ：
CN210420132U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
牛彤嵇凤丽吴建鹏杜森
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
颜镝
优先权 ：
CN201921410333.6
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/04 G06F30/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210420132U.PDF
PDF下载
