掩膜托架
授权
摘要
本实用新型为掩膜托架，在通过向上沉积方式进行制膜时能防止半导体衬底中在应被掩膜托架遮挡的区域形成不希望的制膜。用于太阳能电池单元的制造工序中，太阳能电池单元具有矩形的半导体衬底、透明导电层和多个集电电极，透明导电层在半导体衬底中的至少一侧的主面中除了外缘区域以外的区域及除了通过与一边大致平行的直线划定多个矩形的小方框的边界线区域以外的区域通过向上沉积方式制膜形成，多个集电电极形成在透明导电层上，掩膜托架具有在进行制膜时该开口部被半导体衬底覆盖并具有在上下方向延伸的空间的开口部，开口部具有从下方对半导体衬底的外缘区域进行保持的外缘保持部；从下方对半导体衬底的边界线区域进行保持的边界线区域保持部。
基本信息
专利标题 ：
掩膜托架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020150757.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-03
授权号 ：
CN212199396U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
福田将典
申请人 ：
株式会社钟化
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玮
优先权 ：
CN202020150757.X
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/24 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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