掩膜组件
授权
摘要
本实用新型涉及一种掩膜组件，所述掩膜组件包括框架、支撑组件、掩膜板以及至少一条限位条，所述框架上设置有开窗口，所述支撑组件横跨所述开窗口固定于所述框架，并构成一支撑面，每条所述限位条设置于所述框架设有所述支撑组件的一侧，且构成一与所述支撑面平行的阻挡面；所述掩膜板设置于所述框架上并限位于所述支撑面与所述阻挡面之间。上述掩膜组件中，掩膜板限位于支撑组件与限位条形成的支撑面与阻挡面之间，以沿垂直掩膜板所在平面的方向对掩膜板进行限位，防止掩膜板在使用过程中受到外力作用后波动，进而防止掩膜板变形导致像素开口的形状、位置改变，保证掩膜板的像素位置精度。
基本信息
专利标题 ：
掩膜组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921667493.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210826322U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
王永来
申请人 ：
云谷（固安）科技有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市固安县新兴产业示范区
代理机构 ：
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵永辉
优先权 ：
CN201921667493.9
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/24 C23C14/12 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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