掩膜支撑片、掩膜支撑片组件及精细金属掩膜组件及制造方法
公开
摘要
本发明涉及在显示装置制造中所使用的薄膜工艺用掩膜支撑片、掩膜支撑片组件及精细金属掩膜组件、及它们的制造方法。公开的实施例涉及的掩膜支撑片，作为在显示装置制造中所使用的薄膜工艺用掩膜支撑片，所述掩膜支撑片是一体型的金属片，所述掩膜支撑片包括：多个显示开口部，与每单位显示装置的显示区域对应；以及多个突出端，从边缘向外轮廓方向突出，所述掩膜支撑片被构成为支撑精细金属掩膜条，该精细金属掩膜(Fine Meta l Mask)条包括与所述显示区域内的细节图案对应的多个细微开口部，所述显示开口部分别包括盆地型凹口，该盆地型凹口呈与精细金属掩膜条相邻一侧凹陷的形态。
基本信息
专利标题 ：
掩膜支撑片、掩膜支撑片组件及精细金属掩膜组件及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438442A
申请号 ：
CN202110410312.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庾弘宇
申请人 ：
皮姆思株式会社
申请人地址 ：
韩国仁川市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
金兰
优先权 ：
CN202110410312.X
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C16/04 H01L21/308
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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