对位掩膜板、金属掩膜板组件及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及掩膜板技术领域，公开一种对位掩膜板、金属掩膜板组件及其制备方法。其中，对位掩膜板包括掩膜板本体，掩膜板本体上具有多个对位孔，以及包围至少部分所述对位孔、用于将所述至少部分对位孔所在区域与其他区域之间隔离的隔离部，所述隔离部包括至少一条半刻蚀线。本发明实施例提供的对位掩膜板，在焊接于掩膜板框架上之后，可以沿着隔离部切割，以将至少部分对位孔区域与其他区域分割，从而可以阻断多次对位过程中由磁力吸附而引起的对位孔漂移，进而避免多次对位操作后出现对位孔位置精度降低的问题，可以提高蒸镀图形位置精度、改善OLED蒸镀像素混色良率，并且可以增加对位掩膜板的蒸镀使用次数，降低掩膜板组件的更换成本。
基本信息
专利标题 ：
对位掩膜板、金属掩膜板组件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110438448A
申请号 ：
CN201910851395.9
公开（公告）日 ：
2019-11-12
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
CN110438448B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
梅菊徐鹏叶建波马国强肖磊芳
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
李欣
优先权 ：
CN201910851395.9
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/12 C23C14/24
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-12-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20190910
申请日 : 20190910
2019-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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