一种掩膜版框架、掩膜版组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种掩膜版框架及其制作方法、掩膜版组件，涉及半导体蒸镀设备技术领域，包括框架本体；所述框架本体包括上表面；所述上表面朝向所述框架本体所承接的掩膜版的一侧；所述框架本体上设有若干个贯穿所述框架本体的第一定位孔；所述第一定位孔上设有凹槽；所述凹槽位于所述上表面，通过该设计，改善了之前蒸镀产品存在的毛刺偏多的问题，通过之前去除毛刺的工艺，会引起Cover/hauling深度不可控及超规。使用本申请制作工艺后该问题得到了很好的解决，而且客户产品良率提高了50％、制作成本下降20％、简化了工艺流程、降低了能源及人力的浪费、提高了生产的效率及稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种掩膜版框架、掩膜版组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021238443.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN213295480U
授权日 ：
2021-05-28
发明人 ：
钱超杨波
申请人 ：
江苏高光半导体材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市句容经济开发区容宁创业园2#厂房
代理机构 ：
南京天华专利代理有限责任公司
代理人 ：
徐冬涛
优先权 ：
CN202021238443.1
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/12 C23C14/24
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2021-05-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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