一种掩膜框架组件
授权
摘要
本实用新型涉及一种掩膜框架组件,包括掩膜框、掩膜片、第一凹陷部、第二凹陷部、第一安装部件以及第二安装部件;第一凹陷部、第二凹陷部分别对称地设置于掩膜框的两侧;第一安装部件设置于第一凹陷部内,第二安装部件设置于第二凹陷部内;掩膜片一端与第一安装部件连接,掩膜片另一端与第二安装部件连接;掩膜框由非金属材质制成;第一安装部件、第二安装部件均由金属材质制成。本实用新型的掩膜框架组件,提高了掩膜框的抗形变能力,确保开孔位置的精度,大幅降低掩膜框形变量,掩膜框产生的形变量微乎其微,受力形变影响变小,使得掩膜框抗形变能力增强,提高产品的精度以及良率。
基本信息
专利标题 :
一种掩膜框架组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021558136.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-31
授权号 :
CN212864938U
授权日 :
2021-04-02
发明人 :
沈志昇吴聪原
申请人 :
福建华佳彩有限公司
申请人地址 :
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 :
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄以琳
优先权 :
CN202021558136.1
主分类号 :
C23C14/04
IPC分类号 :
C23C14/04
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物
法律状态
2021-04-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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