掩膜版
授权
摘要
本发明提供了掩膜版。该掩膜版包括：矩形区；两个夹爪区，两个所述夹爪区分别位于所述矩形区相对的两个边上，所述夹爪区具有彼此正对设置的第一边和第三边、第二边和第四边，所述第一边位于所述矩形区的边上，第二边和第四边之间的最小水平间距小于所述第一边的边长。由此，在对掩膜版进行张网时，可以有效改善掩膜版的平坦度和下垂量；而且相比现有的结构的掩膜版，本申请的掩膜版的夹爪区的数量较少，可以减弱张网使得复杂度和简化仿真；同时，可以突破对掩膜版尺寸的限定，设计尺寸更大的掩膜版。
基本信息
专利标题 ：
掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111394692A
申请号 ：
CN202010388822.7
公开（公告）日 ：
2020-07-10
申请日 ：
2020-05-09
授权号 ：
CN111394692B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
赵钰徐鹏
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟庆莹
优先权 ：
CN202010388822.7
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/24
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-08-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20200509
申请日 : 20200509
2020-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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