一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装工艺
实质审查的生效
摘要
一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装工艺，涉及芯片封装技术领域，包括晶圆准备、晶圆正面工序、晶圆背面工序和封装工序，晶圆正面工序完成后进行晶圆封装工序，最后完成晶圆背面工序，所述封装工序包括以下步骤，降低了GaN基射频器件和微波单片集成电路的生产成本，性能方面由于去掉的传统封装工艺中键合引线环节，降低了在微波信号传输过程中损耗，有效提高了GaN基射频器件和微波单片集成电路性能，而且封装后的芯片体积更小并且大幅度提高了散热性能。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267599A
申请号 ：
CN202111489773.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王静辉黎荣林崔健郭跃伟段磊闫志峰
申请人 ：
河北博威集成电路有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
武哲
优先权 ：
CN202111489773.7
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 C23C14/04 C23C14/10 C23C14/30 H01L23/31 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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