集成电路的晶圆级封装中的铜沉积
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种电沉积组合物，其包含：(a)铜离子来源；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)调平剂，其中该调平剂包含将联吡啶化合物与二官能基烷化剂反应而制备的季铵化联吡啶化合物、或季铵化聚(表氯醇)。该电沉积组合物可用于在半导体基板上以晶圆级封装形成铜特征，而在半导体组合件的凸块下结构上电沉积出铜凸块或柱体的方法。
基本信息
专利标题 ：
集成电路的晶圆级封装中的铜沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420633A
申请号 ：
CN202111451796.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2017-09-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤玛斯·理察生凯力·惠登文森·潘尼卡西欧二世约翰·康曼德里查·贺图比兹
申请人 ：
麦克德米德乐思公司
申请人地址 ：
美国康涅狄格州
代理机构 ：
北京三幸商标专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘卓然
优先权 ：
CN202111451796.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 C07D213/22 C25D3/38 C25D5/02 C25D7/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20170920
申请日 : 20170920
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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